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J-GLOBAL ID:201702215541505764   整理番号:17A0402354

超薄TiO_2/ダイヤモンド光検出器の光電特性【Powered by NICT】

Photoelectrical characteristics of ultra thin TiO2/diamond photodetector
著者 (11件):
Liu Zhangcheng
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Liu Zhangcheng
(Institute of Technology and Science, The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan)
Ao Jin-Ping
(Institute of Technology and Science, The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan)
Li Fengnan
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Wang Wei
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Wang Wei
(Shaanxi Key Laboratory of Photonics Technology for Information, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Wang Jingjing
(Nation Key Laboratory of ASIC, HSRI, Shijiazhuang 050051, China)
Zhang Jingwen
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Zhang Jingwen
(Shaanxi Key Laboratory of Photonics Technology for Information, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Wang Hong-Xing
(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
Wang Hong-Xing
(Shaanxi Key Laboratory of Photonics Technology for Information, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)

資料名:
Materials Letters  (Materials Letters)

巻: 188  ページ: 52-54  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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