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文献
J-GLOBAL ID：201702215612812556
整理番号：17A1549009
結晶シリコン中のホウ素-酸素欠陥の平衡濃度について【Powered by NICT】
On the equilibrium concentration of boron-oxygen defects in crystalline silicon
Walter D.C.
(Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, Germany)
,
Falster R.
(SunEdison Semiconductor, Via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy)
,
Voronkov V.V.
(SunEdison Semiconductor, Via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy)
,
Schmidt J.
(Institute for Solar Energy Research Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, Germany)
,
Schmidt J.
(Department of Solar Energy, Institute of Solid-State Physics, Leibniz Universitaet Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hanover, Germany)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 173 ページ： 33-36 発行年： 2017年
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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