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文献
J-GLOBAL ID：201702215821028482
整理番号：17A0769156
原子層堆積HfO_2誘電体における自己集合二重層Auナノ結晶を埋め込んだ金属-酸化物-シリコンキャパシタのメモリ効果【Powered by NICT】
Memory Effect of Metal-Oxide-Silicon Capacitors with Self-Assembly Double-Layer Au Nanocrystals Embedded in Atomic-Layer-Deposited HfO_2 Dielectric
HUANG Yue
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
GOU Hong-Yan
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
SUN Qing-Qing
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
DING Shi-Jin
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
ZHANG Wei
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
ZHANG Shi-Li
(School of Microelectronics, Fudan University)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 26 号： 10 ページ： 200-202 発行年： 2009年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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