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文献
J-GLOBAL ID：201702215902555375
整理番号：17A0848199
可撓性アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの性能への機械歪み誘導欠陥発生の効果
Effect of mechanical-strain-induced defect generation on the performance of flexible amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors
LIAO Po-Yung
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU Wan-Ching
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Yu-Jia
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Bo-Wei
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
HSIEH Tien-Yu
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
YANG Chung-Yi
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Yen-Yu
(Chunghwa Picture Tubes, Ltd., Taoyuan, TWN)
,
CHANG Hsi-Ming
(Chunghwa Picture Tubes, Ltd., Taoyuan, TWN)
,
CHIANG Shin-Chuan
(Chunghwa Picture Tubes, Ltd., Taoyuan, TWN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 9 号： 12 ページ： 124101.1-124101.4 発行年： 2016年12月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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