文献
J-GLOBAL ID:201702215920110794
整理番号:17A1478176
n-3C-SiCヘテロエピタキシャル層に及ぼす8MeVプロトン照射の影響
Effects of Irradiation with 8-MeV Protons on n-3C-SiC Heteroepitaxial Layers
著者 (10件):
LEBEDEV A. A.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
BER B. Ya.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
OGANESYAN G. A.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
BELOV S. V.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LEBEDEV S. P.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LEBEDEV S. P.
(ITMO Univ., St. Petersburg, RUS)
,
NIKITINA I. P.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SEREDOVA N. V.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SHAKHOV L. V.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
KOZLOVSKI V. V.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
8
ページ:
1044-1046
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)