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文献
J-GLOBAL ID：201702216053054657
整理番号：17A0274521
Cu(In,Ga)Se_2太陽電池に及ぼす高蒸着温度での高品質Zn(S,O)バッファ層の作製のための新しいルート【Powered by NICT】
New Route for Fabrication of High-Quality Zn(S,O) Buffer Layer at High Deposition Temperature on Cu(In,Ga)Se$_2$ Solar Cells
Zhu Jiakuan
(Department of Physics, Chinese University of Hong Kong, Hong Kong)
,
Lau Tsz-Ki
(Department of Physics, Chinese University of Hong Kong, Hong Kong)
,
Yang Shihang
(Department of Physics, Chinese University of Hong Kong, Hong Kong)
,
Mai Jiangquan
(Department of Physics, Chinese University of Hong Kong, Hong Kong)
,
Lai Yu-Ling
(National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, Taiwan)
,
Hsu Yao-Jane
(National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, Taiwan)
,
Luo Hailin
(Center for Photovoltaics and Solar Energy, Shenzhen Institutes of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen, China)
,
Lu Xinhui
(Department of Physics, Chinese University of Hong Kong, Hong Kong)
,
Xiao Xudong
(Department of Physics, Chinese University of Hong Kong, Hong Kong)
資料名：
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7 号： 2 ページ： 651-655 発行年： 2017年
JST資料番号： W2305A ISSN： 2156-3381 CODEN： IJPEG8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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