文献
J-GLOBAL ID:201702216107680476
整理番号:17A0375125
動作温度と障壁長の依存性を持つ三重障壁GaAs/AlGaAs滞留時間分布(RTD)の電気的特性評価【Powered by NICT】
Electrical characterization of triple barrier GaAs/AlGaAs RTD with dependence of operating temperature and barrier lengths
著者 (2件):
Singh Man Mohan
(Aligarh Muslim University, Aligarh, UP 202002, India)
,
Siddiqui M.J.
(Aligarh Muslim University, Aligarh, UP 202002, India)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
58
ページ:
89-95
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)