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文献
J-GLOBAL ID：201702216176355662
整理番号：17A1220967
ヘキサメチルジシランの分解による水素化非晶質炭化ケイ素膜の作製
Fabrication of hydrogenated amorphous silicon carbide films by decomposition of hexamethyldisilane with microwave discharge flow of Ar
ITO Haruhiko
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
KUMAKURA Motoki
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
SUZUKI Tsuneo
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
NIIBE Masahito
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
KANDA Kazuhiro
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
SAITOH Hidetoshi
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 6S2 ページ： 06HC01.1-06HC01.9 発行年： 2016年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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