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J-GLOBAL ID:201702216178673065   整理番号:17A0851391

isobutylgermaneを用いたMOCVDによるGaAs(001)基板上に成長させた高効率エピタキシャルGe太陽電池【Powered by NICT】

Highly efficient epitaxial Ge solar cells grown on GaAs (001) substrates by MOCVD using isobutylgermane
著者 (9件):
Kim Youngjo
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)
Kim Youngjo
(Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea)
Kim Kangho
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)
Kim Kangho
(Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea)
Kim Chang Zoo
(Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea)
Jung Sang Hyun
(Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea)
Kang Ho Kwan
(Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea)
Park Won-Kyu
(Korea Advanced Nano Fab Center, Suwon 16229, South Korea)
Lee Jaejin
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)

資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)

巻: 166  ページ: 127-131  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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