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文献
J-GLOBAL ID：201702216224340193
整理番号：17A1382881
断面Raman分光法によって研究したMeVH+~+を注入したGaNと4H-SiCにおける欠陥形成【Powered by NICT】
Defect formation in MeV H+ implanted GaN and 4H-SiC investigated by cross-sectional Raman spectroscopy
Huang Kai
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Huang Kai
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Jia Qi
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Jia Qi
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
You Tiangui
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Shibin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Shibin
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Lin Jiajie
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Lin Jiajie
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Zhang Runchun
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Runchun
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Zhou Min
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Yu Wenjie
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Zhang Bo
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Ou Xin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
,
Wang Xi
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 406 号： PB ページ： 656-661 発行年： 2017年
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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