文献
J-GLOBAL ID:201702216336283972
整理番号:17A0407195
単相電着と低温RTPアニーリングを用いて調製した高度に結晶化したCIS層の物理的性質【Powered by NICT】
Physical properties of highly crystalline CIS layer prepared using single phase electrodeposition and low temperature RTP annealing
著者 (4件):
Saidi H.
(Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95, Hammam-Lif, 2050 Tunis, Universite de Tunis El Manar, Tunisia)
,
Boujmil M.F.
(Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95, Hammam-Lif, 2050 Tunis, Universite de Tunis El Manar, Tunisia)
,
Durand B.
(CIRIMAT, CNRS, INPT, Universite de Toulouse, 118, Route de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex 9, France)
,
Bouaiecha M.
(Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95, Hammam-Lif, 2050 Tunis, Universite de Tunis El Manar, Tunisia)
資料名:
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻:
695
ページ:
779-786
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0925-8388
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)