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J-GLOBAL ID:201702216456001861   整理番号:17A0759057

化合物ホモ接合:水分解のためのZnO光陽極におけるヘテロ接合はバルクおよび界面再結合【Powered by NICT】

Compound Homojunction:Heterojunction Reduces Bulk and Interface Recombination in ZnO Photoanodes for Water Splitting
著者 (10件):
Wang Ning
(Institute of Photoelectronic thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin, 300071, P. R. China)
Liu Min
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 35 St George Street, Toronto, Ontario, M5S 1A4, Canada)
Tan Hairen
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 35 St George Street, Toronto, Ontario, M5S 1A4, Canada)
Tan Hairen
(Photovoltaic Materials and Devices Laboratory, Delft University of Technology, 2628CD, Delft, The Netherlands)
Liang Junhui
(Institute of Photoelectronic thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin, 300071, P. R. China)
Zhang Qixing
(Institute of Photoelectronic thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin, 300071, P. R. China)
Wei Changchun
(Institute of Photoelectronic thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin, 300071, P. R. China)
Zhao Ying
(Institute of Photoelectronic thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin, 300071, P. R. China)
Sargent Edward H.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 35 St George Street, Toronto, Ontario, M5S 1A4, Canada)
Zhang Xiaodan
(Institute of Photoelectronic thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin, 300071, P. R. China)

資料名:
Small  (Small)

巻: 13  号: 10  ページ: ROMBUNNO.201603527  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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