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文献
J-GLOBAL ID：201702216458169893
整理番号：17A0253751
シリコンウエハ上のBiFeO3薄膜の漏れ電流特性とSm/Tiドーピング効果
Leakage current characteristics and Sm/Ti doping effect in BiFeO3 thin films on silicon wafers
Sun Wei
(State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China)
,
Zhou Zhen
(State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China)
,
Luo Jin
(State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China)
,
Wang Ke
(State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China)
,
Li Jing-Feng
(State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 6 ページ： 064101-064101-8 発行年： 2017年02月14日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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