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文献
J-GLOBAL ID：201702216614362930
整理番号：17A1134589
溶液由来のGd添加ZrO2高kゲート誘電体のアニーリング温度依存微細構造と光学的および電気的特性
Annealing temperature-dependent microstructure and optical and electrical properties of solution-derived Gd-doped ZrO2 high-k gate dielectrics
ZHU L.
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
HE G.
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
SUN Z. Q.
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
LIU M.
(Inst. of Solid State Physics, Chinese Acad. of Sci., Hefei, CHN)
,
JIANG S. S.
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
LIANG S.
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
LI W. D.
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
資料名：
Journal of Sol-Gel Science and Technology
(Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 83 号： 3 ページ： 675-682 発行年： 2017年09月
JST資料番号： W0812A ISSN： 0928-0707 CODEN： JSGTEC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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