文献
J-GLOBAL ID:201702216767176344
整理番号:17A0313245
InPDH BTプロセスにおける応用のための最小副産物再堆積によるベンゾシクロブテンドライエッチング【Powered by NICT】
Benzocyclobutene dry etch with minimized byproduct redeposition for application in an InP DHBT process
著者 (7件):
Stoppel D.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
,
John W.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
,
Zeimer U.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
,
Kunkel K.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
,
Schukfeh M.I.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
,
Krueger O.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
,
Weimann N.
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
161
ページ:
63-68
発行年:
2016年08月01日
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)