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文献
J-GLOBAL ID：201702216771945488
整理番号：17A0385824
面内サイドゲートがあるInAs量子点接触のアスペクト比に対する0.5×(2e2/h)コンダクタンスプラトーの依存性
Dependence of the 0.5 × (2e2/h) conductance plateau on the aspect ratio of InAs quantum point contacts with in-plane side gates
Das P. P.
(Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India)
,
Jones A.
(Spintronics and Vacuum Nanoelectronics Laboratory, University of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45040, USA)
,
Cahay M.
(Spintronics and Vacuum Nanoelectronics Laboratory, University of Cincinnati, Cincinnati, Ohio 45040, USA)
,
Kalita S.
(Department of Electronics and Communication Engineering, Tezpur University, Napaam, Assam 784028, India)
,
Mal S. S.
(Department of Chemistry, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India)
,
Sterin N. S.
(Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India)
,
Yadunath T. R.
(Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India)
,
Advaitha M.
(Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal 575025, India)
,
Herbert S. T.
(Department of Physics, Xavier University, Cincinnati, Ohio 45207, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 8 ページ： 083901-083901-8 発行年： 2017年02月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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