文献
J-GLOBAL ID:201702217254427168
整理番号:17A1478182
少数キャリア注入の下での高電流密度状態におけるSchottkyダイオードの電流-電圧特性
Current-Voltage Characteristics of Schottky Diodes at High Current Densities Under the Injection of Minority Carriers
著者 (5件):
MNATSAKANOV T. T.
(All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS)
,
TANDOEV A. G.
(All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS)
,
LEVINSHTEIN M. E.
(Ioffe Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
YURKOV S. N.
(All-Russia Electrotechnical Inst., Moscow, RUS)
,
PALMOUR J. W.
(A Cree Co., NC, USA)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
8
ページ:
1081-1086
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)