文献
J-GLOBAL ID:201702217263573519
整理番号:17A0955182
III-VおよびSi(Ge)FETのハイブリッドCMOS以降の3次元モノリシック集積
Three-dimensional monolithic integration of III-V and Si(Ge) FETs for hybrid CMOS and beyond
著者 (10件):
DESHPANDE Veeresh
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
DJARA Vladimir
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
O’CONNOR Eamon
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
HASHEMI Pouya
(IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
MORF Thomas
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
BALAKRISHNAN Karthik
(IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
CAIMI Daniele
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
SOUSA Marilyne
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
FOMPEYRINE Jean
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
,
CZORNOMAZ Lukas
(IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
4S
ページ:
04CA05.1-04CA05.7
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)