文献
J-GLOBAL ID:201702217304624528
整理番号:17A0775949
高電圧ドレイン拡大MOSトランジスタのシリサイドブロック膜効果【Powered by NICT】
Silicide-block-film effects on high voltage drain-extended MOS transistors
著者 (9件):
Wang Lei
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Gao Chao
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Bo
(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
,
Hu Jian
(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
,
Lee Po
(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
,
Ju Xiaohua
(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
,
Zhang Meili
(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
,
Li Wenjun
(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
,
Yang Steve
(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
30
号:
3
ページ:
52-55
発行年:
2009年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)