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J-GLOBAL ID:201702217439046354   整理番号:17A0851394

種子エンドn型Czochralskiけい素ウエハ中の光照射下のバルク欠陥形成-シリコンヘテロ接合太陽電池に及ぼす影響【Powered by NICT】

Bulk defect formation under light soaking in seed-end n-type Czochralski silicon wafers - Effect on silicon heterojunction solar cells
著者 (8件):
Letty Elenore
(Univ. Grenoble Alpes, INES, F-73375 Le Bourget du Lac, France)
Letty Elenore
(CEA, LITEN, Department of Solar Technologies, F-73375 Le Bourget du Lac, France)
Letty Elenore
(University of Lyon, Lyon Institute of Nanotechnology (INL) UMR CNRS 5270, INSA de Lyon, Villeurbanne, France)
Veirman Jordi
(Univ. Grenoble Alpes, INES, F-73375 Le Bourget du Lac, France)
Veirman Jordi
(CEA, LITEN, Department of Solar Technologies, F-73375 Le Bourget du Lac, France)
Favre Wilfried
(Univ. Grenoble Alpes, INES, F-73375 Le Bourget du Lac, France)
Favre Wilfried
(CEA, LITEN, Department of Solar Technologies, F-73375 Le Bourget du Lac, France)
Lemiti Mustapha
(University of Lyon, Lyon Institute of Nanotechnology (INL) UMR CNRS 5270, INSA de Lyon, Villeurbanne, France)

資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)

巻: 166  ページ: 147-156  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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