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文献
J-GLOBAL ID：201702217464181973
整理番号：17A1498697
中赤外オプトエレクトロニクス用の高度に望ましい半導体材料:希薄ビスマスInAs_1Bi-x合金【Powered by NICT】
Highly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs1- Bi x alloys
Assali Abdenacer
(Unite de Recherche en Optique et Photonique (UROP-Setif) - Centre de Developpement des Technologies Avancees, P.O. Box 17, Baba-Hassen, 16303 Algiers, Algeria)
,
Assali Abdenacer
(Laboratoire Materiaux (LABMAT), Ecole Nationale Polytechnique d’Oran (ENPO), BP 1523 El Mnaouar, 31000 Oran, Algeria)
,
Bouslama M’hamed
(Laboratoire Materiaux (LABMAT), Ecole Nationale Polytechnique d’Oran (ENPO), BP 1523 El Mnaouar, 31000 Oran, Algeria)
,
Reshak A.H.
(New Technologies - Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14 Pilsen, Czech Republic)
,
Reshak A.H.
(School of Material Engineering, University Malaysia Perlis, 01007 Kangar, Perlis, Malaysia)
,
Chaabane Loubna
(Laboratoire de Technologie des Materiaux et de Genie des Procedes, Faculte de Technologie, Universite A/MIRA-Bejaia, Route Targa-Ouzemour 06000, Algeria)
資料名：
Materials Research Bulletin
(Materials Research Bulletin)
巻： 95 ページ： 588-596 発行年： 2017年
JST資料番号： B0954A ISSN： 0025-5408 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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