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文献
J-GLOBAL ID：201702217473330302
整理番号：17A0375094
ハイブリッドZCISナノ結晶に基づく不揮発性メモリデバイスの電気的双安定性:PMMA膜【Powered by NICT】
Electrical bistable properties of nonvolatile memory device based on hybrid ZCIS NCs:PMMA film
Zhang Xuguang
(Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China)
,
Xu Jianping
(Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China)
,
Zhang Xiaosong
(Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China)
,
Shi Shaobo
(School of Science, Tianjin University of Technology and Education, Tianjin 300222, People’s Republic of China)
,
Zhao Xiangguo
(Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China)
,
Li Lan
(Institute of Material Physics, Key Laboratory of Display Materials and Photoelectric Devices, Ministry of Education, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, People’s Republic of China)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57 ページ： 105-109 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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