文献
J-GLOBAL ID:201702217539225444
整理番号:17A0885743
垂直GaN電力ダイオードの接合終端拡張のシミュレーション【Powered by NICT】
Simulations of Junction Termination Extensions in Vertical GaN Power Diodes
著者 (6件):
Wierer Jonathan J.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Center for Photonics and Nanoelectronics, Lehigh University, Bethlehem, PA, USA)
,
Dickerson Jeramy R.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Allerman Andrew A.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Armstrong Andrew M.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Crawford Mary H.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
,
Kaplar Robert J.
(Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
2291-2297
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)