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文献
J-GLOBAL ID：201702217561839721
整理番号：17A1650023
MOCVD成長InGaAs薄層を用いたナノ電極THz光混合器【Powered by NICT】
Nanoelectrode THz photomixer using a MOCVD-grown InGaAs thin layer
Moon Kiwon
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Lee Eui Su
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Lee Il-Min
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Park Dong Woo
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Kim Hyun Soo
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Park Jeong-Woo
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Han Sang-Pil
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Choi Kyeong Sun
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
,
Park Kyung Hyun
(Terahertz Basic Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI))
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IRMMW-THz ページ： 1-2 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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