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文献
J-GLOBAL ID：201702217747084846
整理番号：17A1521735
低閾値852nm半導体レーザの温度特性【JST・京大機械翻訳】
Thermal Characteristics of The Low Threshold 852 nm Semiconductor Lasers
Liao Yiru
(北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124)
,
Guan Baolu
(北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124)
,
Li Jianjun
(北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124)
,
Liu Chu
(北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124)
,
Mi Guoxin
(北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124)
,
Xu Chen
(北京工業大学 光電子技術教育部重点実験室,北京,100124)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 38 号： 3 ページ： 331-337 発行年： 2017年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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