文献
J-GLOBAL ID:201702217822259676
整理番号:17A0750108
CdSバッファ層蒸着後の高温アニーリングにより作製した効率を改善したCu_2ZnSnS_4光起電力電池【Powered by NICT】
Cu2ZnSnS4 photovoltaic cell with improved efficiency fabricated by high-temperature annealing after CdS buffer-layer deposition
著者 (5件):
Tajima Shin
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1 Yokomichi, Nagakute, Aichi, 480-1192, Japan)
,
Umehara Mitsutaro
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1 Yokomichi, Nagakute, Aichi, 480-1192, Japan)
,
Hasegawa Masaki
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1 Yokomichi, Nagakute, Aichi, 480-1192, Japan)
,
Mise Takahiro
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1 Yokomichi, Nagakute, Aichi, 480-1192, Japan)
,
Itoh Tadayoshi
(Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1 Yokomichi, Nagakute, Aichi, 480-1192, Japan)
資料名:
Progress in Photovoltaics
(Progress in Photovoltaics)
巻:
25
号:
1
ページ:
14-22
発行年:
2017年
JST資料番号:
W0463A
ISSN:
1062-7995
CODEN:
PPHOED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)