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文献
J-GLOBAL ID：201702218018365635
整理番号：17A0364008
エピタキシャル成長させた歪んだSi:P層上に形成したNiシリサイド膜の微細構造特性【Powered by NICT】
Microstructural properties of Ni-silicide films formed on epitaxially grown strained Si:P layer
Choi Seongheum
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
,
Kim Jinyong
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
,
Choi Juyun
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
,
Cho Sungkil
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
,
Cho Sungkil
(Eugene Technology Co., Ltd., Yongin 17156, Republic of Korea)
,
Lee Minhyeong
(Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea)
,
Ko Eunjung
(Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea)
,
Ko Eunjung
(SK Hynix, Inc., Icheon 17336, Republic of Korea)
,
Rho Il Cheol
(SK Hynix, Inc., Icheon 17336, Republic of Korea)
,
Kim Choon Hwan
(SK Hynix, Inc., Icheon 17336, Republic of Korea)
,
Kim Yunseok
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
,
Ko Dae-Hong
(Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea)
,
Kim Hyoungsub
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 165 ページ： 1-5 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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