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J-GLOBAL ID:201702218109178620   整理番号:17A1727289

PHITS TCADシミュレーションシステムによる28nm FD-SOIと22nm FinFETラッチに及ぼす中性子誘起ソフトエラー率の解析【Powered by NICT】

Analysis of neutron-induced soft error rates on 28nm FD-SOI and 22nm FinFET latches by the PHITS-TCAD simulation system
著者 (3件):
Furuta Jun
(Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)
Umehara Shigehiro
(Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)
Kobayashi Kazutoshi
(Graduate School of Science & Technology, Kyoto Institute of Technology)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: SISPAD  ページ: 185-188  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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