文献
J-GLOBAL ID:201702218159321362
整理番号:17A0117937
ゲート酸化物厚さの影響とナノスケールテーパFinFETに及ぼすフィン高さおよびフィン幅のアスペクト比【Powered by NICT】
Impact of gate oxide thickness and aspect ratio of fin height and fin width on nanoscale tapered FinFETs
著者 (3件):
Kaur Navneet
(ECE, IKGPTU, Jalandhar, Punjab, India)
,
Rattan Munish
(Dept. of ECE, GNDEC, IKGPTU, Jalandhar, Punjab, India)
,
Gill Sandeep Singh
(Dept. of ECE, GNDEC, IKGPTU, Jalandhar, Punjab, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
RTEICT
ページ:
1787-1791
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)