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文献
J-GLOBAL ID:201702218205143323   整理番号:17A0470933

層状MoS_2/グラフェンをドープしたSnSeの熱電性能の向上【Powered by NICT】

Enhanced thermoelectric performance of SnSe doped with layered MoS2/graphene
著者 (4件):
Yang Shidan
(Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China)
Si Jianxiao
(Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China)
Su Qingmei
(Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China)
Wu Haifei
(Department of Physics, Shaoxing University, Shaoxing 312000, PR China)

資料名:
Materials Letters  (Materials Letters)

巻: 193  ページ: 146-149  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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