文献
J-GLOBAL ID:201702218205143323
整理番号:17A0470933
層状MoS_2/グラフェンをドープしたSnSeの熱電性能の向上【Powered by NICT】
Enhanced thermoelectric performance of SnSe doped with layered MoS2/graphene
著者 (4件):
Yang Shidan
(Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China)
,
Si Jianxiao
(Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China)
,
Su Qingmei
(Department of Physics, Zhejiang Normal University, Jinhua 321004, PR China)
,
Wu Haifei
(Department of Physics, Shaoxing University, Shaoxing 312000, PR China)
資料名:
Materials Letters
(Materials Letters)
巻:
193
ページ:
146-149
発行年:
2017年
JST資料番号:
E0935A
ISSN:
0167-577X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)