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文献
J-GLOBAL ID：201702218205563398
整理番号：17A1220871
表面構造制御技術により形成されたSiC上のエピタキシャルグラフェン
Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique
ARITSUKI Takuya
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
NAKASHIMA Takeshi
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
KOBAYASHI Keisuke
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
OHNO Yasuhide
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
NAGASE Masao
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 6S1 ページ： 06GF03.1-06GF03.4 発行年： 2016年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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