文献
J-GLOBAL ID:201702218218335888
整理番号:17A1810918
電荷捕獲フラッシュメモリ用SiO2/ZrO2ハイブリッドトンネル障壁の電気特性
Electrical characteristics of SiO2/ZrO2 hybrid tunnel barrier for charge trap flash memory
著者 (6件):
CHOI Jaeho
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
CHOI Jaeho
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
BAE Juhyun
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
AHN Jaeyoung
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
HWANG Kihyun
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
CHUNG Ilsub
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
8
ページ:
086503.1-086503.7
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)