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文献
J-GLOBAL ID：201702218342896421
整理番号：17A0417763
130nm SiGe BiCMOSによる適応バイアス回路を持つ20~30GHz高効率電力増幅器IC【Powered by NICT】
A 20-30 GHz high efficiency power amplifier IC with an adaptive bias circuit in 130-nm SiGe BiCMOS
Chen Cuilin
(The Graduate school of information, production and systems, Waseda University, 2-7 Hibikino Wakamatsu-ku, Kitakyushu-city, 808-0135 JAPAN)
,
Xu Xiao
(The Graduate school of information, production and systems, Waseda University, 2-7 Hibikino Wakamatsu-ku, Kitakyushu-city, 808-0135 JAPAN)
,
Yang Xin
(The Graduate school of information, production and systems, Waseda University, 2-7 Hibikino Wakamatsu-ku, Kitakyushu-city, 808-0135 JAPAN)
,
Sugiura Tsuyoshi
(Samsung R&D Institute Japan, 2-7 Sugasawa-cho, Tsurumi-ku, Yokohama 230-0027, JAPAN)
,
Yoshimasu Toshihiko
(The Graduate school of information, production and systems, Waseda University, 2-7 Hibikino Wakamatsu-ku, Kitakyushu-city, 808-0135 JAPAN)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： SiRF ページ： 88-90 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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