文献
J-GLOBAL ID:201702218439660617
整理番号:17A0885720
GaN MOSFETsにおける正と負バイアス温度不安定性のための統一機構【Powered by NICT】
Unified Mechanism for Positive- and Negative-Bias Temperature Instability in GaN MOSFETs
著者 (2件):
Guo Alex
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
del Alamo Jesus A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
2142-2147
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)