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J-GLOBAL ID:201702218449809395   整理番号:17A1501784

Ge-Sn(GeSn)のプラズマ酸化の速度論【Powered by NICT】

Kinetics of plasma oxidation of germanium-tin (GeSn)
著者 (8件):
Wang Wei
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore)
Lei Dian
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore)
Dong Yuan
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore)
Zhang Zheng
(Institute of Material Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-03, Innovis, 138634, Singapore)
Pan Jisheng
(Institute of Material Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-03, Innovis, 138634, Singapore)
Gong Xiao
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore)
Tok Eng-Soon
(Department of Physics, National University of Singapore, 117551, Singapore)
Yeo Yee-Chia
(Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 117576, Singapore)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 425  ページ: 95-99  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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