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文献
J-GLOBAL ID：201702218459953951
整理番号：17A0755425
600/450mA/mmの記録的なドレーン電流をもつ絶縁体(GOOI)電界効果トランジスタ上の高性能Depletion/Enhancement常微分方程式β-Ga2O3【Powered by NICT】
High-Performance Depletion/Enhancement-ode $¥beta$ -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm
Zhou Hong
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Si Mengwei
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Alghamdi Sami
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Qiu Gang
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Yang Lingming
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Ye Peide D.
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 1 ページ： 103-106 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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