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文献
J-GLOBAL ID:201702218459953951   整理番号:17A0755425

600/450mA/mmの記録的なドレーン電流をもつ絶縁体(GOOI)電界効果トランジスタ上の高性能Depletion/Enhancement常微分方程式β-Ga2O3【Powered by NICT】

High-Performance Depletion/Enhancement-ode $¥beta$ -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm
著者 (6件):
Zhou Hong
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
Si Mengwei
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
Alghamdi Sami
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
Qiu Gang
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
Yang Lingming
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
Ye Peide D.
(Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 38  号:ページ: 103-106  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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