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文献
J-GLOBAL ID：201702218493182934
整理番号：17A1169681
シリコン上のGaNベース高電子移動度トランジスタにおけるRF損失機構:AlN/Si界面での反転チャネルの役割【Powered by NICT】
RF loss mechanisms in GaN-based high-electron-mobility-transistor on silicon: Role of an inversion channel at the AlN/Si interface
Luong Tien Tung
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
,
Lumbantoruan Franky
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
,
Chen Yen-Yu
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
,
Ho Yen-Teng
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
,
Weng You-Chen
(Institute of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung University, Gaofa 3rd Rd. 301, Tainan City 71150, Taiwan, R.O.C.)
,
Lin Yueh-Chin
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
,
Chang Shane
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
,
Chang Edward-Yi
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
,
Chang Edward-Yi
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, University Rd. 1001, Hsinchu 30010, Taiwan, R.O.C.)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 7 ページ： ROMBUNNO.201600944 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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