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文献
J-GLOBAL ID：201702218542420270
整理番号：17A1999691
SCAPS一次元モデルを用いた極薄Cu(In,Ga)Se_2太陽電池性能に及ぼす裏面不動態化機構の影響への取り組み【Powered by NICT】
Addressing the impact of rear surface passivation mechanisms on ultra-thin Cu(In,Ga)Se2 solar cell performances using SCAPS 1-D model
Kotipalli R.
(ICTEAM, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve 1348, Belgium)
,
Poncelet O.
(ICTEAM, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve 1348, Belgium)
,
Li G.
(ICTEAM, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve 1348, Belgium)
,
Li G.
(School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
,
Zeng Y.
(School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
,
Francis L.A.
(ICTEAM, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve 1348, Belgium)
,
Vermang B.
(Faculty of Engineering Technology, University of Hasselt, Hasselt 3500, Belgium)
,
Vermang B.
(IMEC, Kapeldreef 75, Leuven 3001, Belgium)
,
Flandre D.
(ICTEAM, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve 1348, Belgium)
資料名：
Solar Energy
(Solar Energy)
巻： 157 ページ： 603-613 発行年： 2017年
JST資料番号： E0099A ISSN： 0038-092X CODEN： SRENA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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