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文献
J-GLOBAL ID：201702218553893605
整理番号：17A0702069
有機金属化学気相蒸着によりSi(110)基板上に成長させた高品質の薄いAlNエピ層【Powered by NICT】
High quality thin AlN epilayers grown on Si(110) substrates by metal-organic chemical vapor deposition
Shen Xu-Qiang
(Advanced Power Electronics Research Center (ADPERC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Umezono 1-1-1, Central 2, Tsukuba-shi, Ibaraki, 305-8568, Japan)
,
Takahashi Tokio
,
Ide Toshihide
,
Shimizu Mitsuaki
資料名：
CrystEngComm
(CrystEngComm)
巻： 19 号： 8 ページ： 1204-1209 発行年： 2017年
JST資料番号： W2462A ISSN： 1466-8033 CODEN： CRECF4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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