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文献
J-GLOBAL ID：201702218623724520
整理番号：17A0448463
アミノシラン化された電解質-酸化物-半導体(EOS)キャパシタでのpH変化に対する2種の官能基の緩衝効果【Powered by NICT】
Buffer effects of two functional groups against pH variation at aminosilanized Electrolyte-Oxide-Semiconductor (EOS) capacitor
Hong Nanki
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
,
Park ChanOh
(Division of IT-Convergence Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
,
Kim Donghoon
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
,
Jeong Ki-Soo
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
,
Yoon Jun-Sik
(Creative IT Engineering and Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
,
Jin Bo
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
,
Meyyappan M.
(NASA Ames Research Center, Moffet Field, CA, 94035, USA)
,
Lee Jeong-Soo
(Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
,
Lee Jeong-Soo
(Division of IT-Convergence Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 242 ページ： 324-331 発行年： 2017年
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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