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文献
J-GLOBAL ID：201702218706254523
整理番号：17A1465174
ヘテロ層移動法による絶縁体上の引張歪超薄体SiGe【Powered by NICT】
Tensile strain ultra thin body SiGe on insulator through hetero-layer transfer technique
Chang Wen Hsin
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Hattori Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Ishii Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Irisawa Toshifumi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Uchida Noriyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Maeda Tatsuro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70 ページ： 123-126 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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