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文献
J-GLOBAL ID：201702218775716869
整理番号：17A0968227
単層PtTe2における小さな圧縮歪が誘起した半導体-金属転移および引張歪みが増強した熱電特性
Small compressive strain-induced semiconductor-metal transition and tensile strain-enhanced thermoelectric properties in monolayer PtTe2
GUO San-Dong
(China Univ. Mining and Technol., Jiangsu, CHN)
,
WANG Yan
(Jiangsu Normal Univ., Jiangsu, CHN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 32 号： 5 ページ： 055004,1-7 発行年： 2017年05月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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