文献
J-GLOBAL ID:201702218836178692
整理番号:17A0214156
相変化メモリの究極のスケーリング限界に向けて【Powered by NICT】
Towards ultimate scaling limits of phase-change memory
著者 (7件):
Xiong F.
(Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA)
,
Yalon E.
(Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA)
,
Behnam A.
(Univ. Illinois Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA)
,
Neumann C.M.
(Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA)
,
Grosse K.L.
(Univ. Illinois Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA)
,
Deshmukh S.
(Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA)
,
Pop E.
(Stanford University, Electrical Engineering, Stanford, CA 94305, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
4.1.1-4.1.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)