文献
J-GLOBAL ID:201702218860433075
整理番号:17A0362453
28nm HfO_2~ベースH KMG MOSFETのNBTI性能に及ぼすI/O酸化プロセスの影響【Powered by NICT】
Influence of I/O oxide process on the NBTI performance of 28nm HfO2-based HKMG p-MOSFETs
著者 (4件):
Chien Wei-Ting Kary
(Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China)
,
Zhu Yueqin
(Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China)
,
Song Yongliang
(Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China)
,
Zhao Yong Atman
(Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
64
ページ:
220-224
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)