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文献
J-GLOBAL ID:201702218878972530   整理番号:17A0225872

Cu2ZnSnS4光吸収体の表面光電性とカドミウムフリーIn2S3/Cu2ZnSnS4ヘテロ接合薄膜太陽電池の界面/光起電力性能に対するインジウムドーピングの効果

Effect of Indium Doping on Surface Optoelectrical Properties of Cu2ZnSnS4 Photoabsorber and Interfacial/Photovoltaic Performance of Cadmium Free In2S3/Cu2ZnSnS4 Heterojunction Thin Film Solar Cell
著者 (8件):
JIANG Feng
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
OZAKI Chigusa
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
GUNAWAN
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
HARADA Takashi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
TANG Zeguo
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
MINEMOTO Takashi
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
NOSE Yoshitaro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
IKEDA Shigeru
(Osaka Univ., Osaka, JPN)

資料名:
Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)

巻: 28  号: 10  ページ: 3283-3291  発行年: 2016年05月24日 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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