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文献
J-GLOBAL ID：201702218878972530
整理番号：17A0225872
Cu2ZnSnS4光吸収体の表面光電性とカドミウムフリーIn2S3/Cu2ZnSnS4ヘテロ接合薄膜太陽電池の界面/光起電力性能に対するインジウムドーピングの効果
Effect of Indium Doping on Surface Optoelectrical Properties of Cu2ZnSnS4 Photoabsorber and Interfacial/Photovoltaic Performance of Cadmium Free In2S3/Cu2ZnSnS4 Heterojunction Thin Film Solar Cell
JIANG Feng
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OZAKI Chigusa
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GUNAWAN
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HARADA Takashi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TANG Zeguo
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
MINEMOTO Takashi
(Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN)
,
NOSE Yoshitaro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
IKEDA Shigeru
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻： 28 号： 10 ページ： 3283-3291 発行年： 2016年05月24日
JST資料番号： T0893A ISSN： 0897-4756 CODEN： CMATEX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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