文献
J-GLOBAL ID:201702219004271921
整理番号:17A0758079
低電圧炭化けい素NMOSトランジスタの電気的安全動作領域【Powered by NICT】
Electrical safe operating area of low-voltage silicon carbide NMOS transistors
著者 (4件):
Jarard Dan Thomas
(Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas)
,
Ahmed Shamim
(Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas)
,
Vrotsos Tom
(Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas)
,
Chen Zhong
(Alan Mantooth Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
WiPDA
ページ:
236-241
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)