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文献
J-GLOBAL ID：201702219035387696
整理番号：17A0402877
新しい2次元希薄磁性半導体の設計:MnドープGaN単分子層【Powered by NICT】
Design of a new two-dimensional diluted magnetic semiconductor: Mn-doped GaN monolayer
Zhao Qian
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China)
,
Zhao Qian
(Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, People’s Republic of China)
,
Xiong Zhihua
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China)
,
Luo Lan
(School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang 330031, People’s Republic of China)
,
Sun Zhenhui
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China)
,
Qin Zhenzhen
(College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, Tianjin 300071, People’s Republic of China)
,
Chen Lanli
(Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, People’s Republic of China)
,
Wu Ning
(Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 396 ページ： 480-483 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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