文献
J-GLOBAL ID:201702219122968876
整理番号:17A1943374
ハライド気相成長法による直径2インチ(001)のβ-Ga2O3ホモエピタキシャルウェーハの作製
Preparation of 2-in.-diameter (001) β-Ga2O3 homoepitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy
著者 (16件):
THIEU Quang Tu
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
WAKIMOTO Daiki
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
WAKIMOTO Daiki
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
KOISHIKAWA Yuki
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
KOISHIKAWA Yuki
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
GOTO Ken
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
GOTO Ken
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
KONISHI Keita
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
MURAKAMI Hisashi
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
KUMAGAI Yoshinao
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
11
ページ:
110310.1-110310.3
発行年:
2017年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)