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文献
J-GLOBAL ID：201702219670287744
整理番号：17A0027208
ランダムテレグラフノイズを用いたHK/MG FinFETにおけるストレス誘起欠陥のモニタリング
Monitoring Stress-Induced Defects in HK/MG FinFETs Using Random Telegraph Noise
Puglisi Francesco Maria
(Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Costantini Felipe
(Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Kaczer Ben
(imec, Leuven, Belgium)
,
Larcher Luca
(Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy)
,
Pavan Paolo
(Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 9 ページ： 1211-1214 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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