文献
J-GLOBAL ID:201702219670287744
整理番号:17A0027208
ランダムテレグラフノイズを用いたHK/MG FinFETにおけるストレス誘起欠陥のモニタリング
Monitoring Stress-Induced Defects in HK/MG FinFETs Using Random Telegraph Noise
著者 (5件):
Puglisi Francesco Maria
(Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Costantini Felipe
(Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
,
Kaczer Ben
(imec, Leuven, Belgium)
,
Larcher Luca
(Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy)
,
Pavan Paolo
(Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
9
ページ:
1211-1214
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)