前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702219770222383
整理番号：17A0284686
直線的に増加する電圧による注入電荷抽出を用いたヘテロ構造Cu2S-In2S3ナノ結晶膜の温度依存電荷キャリアダイナミクス
Temperature-dependent charge carrier dynamics investigation of heterostructured Cu2S-In2S3 nanocrystals films using injected charge extraction by linearly increasing voltage
Bi Ke
(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
,
Sui Ning
(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
,
Wang Yinghui
(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
,
Zhang Liquan
(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
,
Liu Qinghui
(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
,
Tan Mingrui
(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
,
Zhang Hanzhuang
(Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 8 ページ： 083104-083104-5 発行年： 2017年02月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。